SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

संक्षिप्त वर्णन:

उत्पादक: Vishay
उत्पादन श्रेणी:MOSFET
माहिती पत्रक:SI9945BDY-T1-GE3
वर्णन:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
RoHS स्थिती: RoHS अनुपालन

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

वैशिष्ट्ये

अर्ज

उत्पादन टॅग

♠ उत्पादन वर्णन

उत्पादन विशेषता	विशेषता मूल्य
निर्माता:	विशय
उत्पादन वर्ग:	MOSFET
RoHS:	तपशील
तंत्रज्ञान:	Si
माउंटिंग शैली:	SMD/SMT
पॅकेज/केस:	SOIC-8
ट्रान्झिस्टर ध्रुवता:	एन-चॅनेल
चॅनेलची संख्या:	2 चॅनेल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज:	60 व्ही
आयडी - सतत ड्रेन करंट:	५.३ अ
आरडीएस चालू - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:	58 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत व्होल्टेज:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:	१ व्ही
Qg - गेट चार्ज:	13 nC
किमान ऑपरेटिंग तापमान:	- ५५ से
कमाल ऑपरेटिंग तापमान:	+ 150 से
पीडी - पॉवर डिसिपेशन:	3.1 प
चॅनल मोड:	संवर्धन
व्यापार नाव:	TrenchFET
पॅकेजिंग:	रील
पॅकेजिंग:	टेप कट करा
पॅकेजिंग:	MouseReel
ब्रँड:	विशय सेमीकंडक्टर्स
कॉन्फिगरेशन:	दुहेरी
पडण्याची वेळ:	10 एन.एस
फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स - किमान:	१५ एस
उत्पादन प्रकार:	MOSFET
उठण्याची वेळ:	15 एनएस, 65 एनएस
मालिका:	SI9
फॅक्टरी पॅक प्रमाण:	२५००
उपवर्ग:	MOSFETs
ट्रान्झिस्टर प्रकार:	2 एन-चॅनेल
ठराविक टर्न-ऑफ विलंब वेळ:	10 एनएस, 15 एनएस
सामान्य वळण-ऑन विलंब वेळ:	15 एनएस, 20 एनएस
भाग # उपनाम:	SI9945BDY-GE3
एकक वजन:	750 मिग्रॅ