AUIRFN8459TR MOSFET 40V ड्युअल एन चॅनल HEXFET
♠ उत्पादन वर्णन
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मूल्य |
| निर्माता: | इन्फिनोन |
| उत्पादन वर्ग: | MOSFET |
| RoHS: | तपशील |
| तंत्रज्ञान: | Si |
| माउंटिंग शैली: | SMD/SMT |
| पॅकेज / केस: | PQFN-8 |
| ट्रान्झिस्टर ध्रुवता: | एन-चॅनेल |
| चॅनेलची संख्या: | 2 चॅनेल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज: | 40 व्ही |
| आयडी - सतत ड्रेन करंट: | 70 ए |
| आरडीएस चालू - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | 5.9 mOhms |
| Vgs - गेट-स्रोत व्होल्टेज: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: | 3 व्ही |
| Qg - गेट चार्ज: | 40 nC |
| किमान ऑपरेटिंग तापमान: | - ५५ से |
| कमाल ऑपरेटिंग तापमान: | + १७५ से |
| पीडी - पॉवर डिसिपेशन: | 50 प |
| चॅनल मोड: | संवर्धन |
| पात्रता: | AEC-Q101 |
| पॅकेजिंग: | रील |
| पॅकेजिंग: | टेप कट करा |
| पॅकेजिंग: | MouseReel |
| ब्रँड: | इन्फिनॉन टेक्नॉलॉजीज |
| कॉन्फिगरेशन: | दुहेरी |
| पडण्याची वेळ: | 42 एन.एस |
| फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स - किमान: | ६६ एस |
| उंची: | 1.2 मिमी |
| लांबी: | 6 मिमी |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| उठण्याची वेळ: | 55 एनएस |
| फॅक्टरी पॅक प्रमाण: | 4000 |
| उपवर्ग: | MOSFETs |
| ट्रान्झिस्टर प्रकार: | 2 एन-चॅनेल |
| ठराविक टर्न-ऑफ विलंब वेळ: | 25 एनएस |
| सामान्य वळण-ऑन विलंब वेळ: | 10 एन.एस |
| रुंदी: | 5 मिमी |
| भाग # उपनाम: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| एकक वजन: | 0.004308 औंस |
♠ MOSFET 40V ड्युअल N चॅनेल HEXFET
विशेषत: ऑटोमोटिव्ह ऍप्लिकेशन्ससाठी डिझाइन केलेले, हे HEXFET® पॉवर MOSFET प्रति सिलिकॉन क्षेत्रामध्ये अत्यंत कमी प्रतिकारशक्ती प्राप्त करण्यासाठी नवीनतम प्रक्रिया तंत्राचा वापर करते.या डिझाइनची अतिरिक्त वैशिष्ट्ये म्हणजे 175°C जंक्शन ऑपरेटिंग तापमान, वेगवान स्विथिंग स्पीड आणि सुधारित पुनरावृत्ती हिमस्खलन रेटिंग.ही वैशिष्ट्ये ऑटोमोटिव्ह आणि इतर विविध अनुप्रयोगांमध्ये वापरण्यासाठी हे उत्पादन एक अत्यंत कार्यक्षम आणि विश्वासार्ह उपकरण बनवतात.
प्रगत प्रक्रिया तंत्रज्ञान
ड्युअल एन-चॅनल MOSFET
अल्ट्रा लो ऑन-रेझिस्टन्स
175°C ऑपरेटिंग तापमान
जलद स्विचिंग
पुनरावृत्ती हिमस्खलन Tjmax पर्यंत परवानगी
लीड-फ्री, RoHS अनुरूप
ऑटोमोटिव्ह पात्र *
12V ऑटोमोटिव्ह सिस्टम्स
ब्रश केलेली DC मोटर
ब्रेकिंग
ट्रान्समिशन
