SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ उत्पादन वर्णन
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मूल्य |
| निर्माता: | विशय |
| उत्पादन वर्ग: | MOSFET |
| RoHS: | तपशील |
| तंत्रज्ञान: | Si |
| माउंटिंग शैली: | SMD/SMT |
| पॅकेज / केस: | TO-263-3 |
| ट्रान्झिस्टर ध्रुवता: | एन-चॅनेल |
| चॅनेलची संख्या: | 1 चॅनेल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज: | 60 व्ही |
| आयडी - सतत ड्रेन करंट: | 100 ए |
| आरडीएस चालू - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | 3.2 mOhms |
| Vgs - गेट-स्रोत व्होल्टेज: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: | 2 व्ही |
| Qg - गेट चार्ज: | 60 nC |
| किमान ऑपरेटिंग तापमान: | - ५५ से |
| कमाल ऑपरेटिंग तापमान: | + १७५ से |
| पीडी - पॉवर डिसिपेशन: | 150 प |
| चॅनल मोड: | संवर्धन |
| व्यापार नाव: | TrenchFET |
| ब्रँड: | Vishay / Siliconix |
| कॉन्फिगरेशन: | अविवाहित |
| पडण्याची वेळ: | 7 एनएस |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| उठण्याची वेळ: | 7 एनएस |
| मालिका: | SQ |
| फॅक्टरी पॅक प्रमाण: | 800 |
| उपवर्ग: | MOSFETs |
| ठराविक टर्न-ऑफ विलंब वेळ: | 33 एन.एस |
| सामान्य वळण-ऑन विलंब वेळ: | 15 एनएस |
| एकक वजन: | ०.१३९३३२ औंस |
• TrenchFET® पॉवर MOSFET
• कमी थर्मल प्रतिकार असलेले पॅकेज
• 100 % Rg आणि UIS चाचणी केली
• AEC-Q101 पात्र
