NVTFS5116PLTWG MOSFET सिंगल पी-चॅनल 60V,14A,52mohm
♠ उत्पादन वर्णन
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मूल्य |
| निर्माता: | ओनसेमी |
| उत्पादन वर्ग: | MOSFET |
| तंत्रज्ञान: | Si |
| माउंटिंग शैली: | SMD/SMT |
| पॅकेज / केस: | WDFN-8 |
| ट्रान्झिस्टर ध्रुवता: | पी-चॅनल |
| चॅनेलची संख्या: | 1 चॅनेल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन व्होल्टेज: | 60 व्ही |
| आयडी - सतत ड्रेन करंट: | 14 अ |
| आरडीएस चालू - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | 52 mOhms |
| Vgs - गेट-स्रोत व्होल्टेज: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: | 3 व्ही |
| Qg - गेट चार्ज: | 25 nC |
| किमान ऑपरेटिंग तापमान: | - ५५ से |
| कमाल ऑपरेटिंग तापमान: | + १७५ से |
| पीडी - पॉवर डिसिपेशन: | २१ प |
| चॅनल मोड: | संवर्धन |
| पात्रता: | AEC-Q101 |
| पॅकेजिंग: | रील |
| पॅकेजिंग: | टेप कट करा |
| पॅकेजिंग: | MouseReel |
| ब्रँड: | ओनसेमी |
| कॉन्फिगरेशन: | अविवाहित |
| फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स - किमान: | 11 एस |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| मालिका: | NVTFS5116PL |
| फॅक्टरी पॅक प्रमाण: | 5000 |
| उपवर्ग: | MOSFETs |
| ट्रान्झिस्टर प्रकार: | 1 पी-चॅनेल |
| एकक वजन: | 0.001043 औंस |
• कॉम्पॅक्ट डिझाइनसाठी लहान फूटप्रिंट (3.3 x 3.3 मिमी).
• कमी RDS(चालू) वहन तोटा कमी करण्यासाठी
• चालकाचे नुकसान कमी करण्यासाठी कमी क्षमता
• NVTFS5116PLWF − ओले करण्यायोग्य फ्लँक्स उत्पादन
• AEC−Q101 पात्र आणि PPAP सक्षम
• ही उपकरणे Pb−मुक्त आहेत आणि RoHS अनुरूप आहेत
